SSD Interne M.2 PCIe 4.0 x 4 nvme 1TB SAMSUNG 990 EVO 2280
Le disque SSD 990 EVO 1 To de Samsung apporte un surplus de performances à votre machine pour des temps de chargement réduits en jeu, des transferts rapides de fichiers volumineux, et bien plus encore. Ce SSD bénéficie de vitesses élevées et d'une endurance généreuse.
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Caractéristiques :
• Performance : Le 990 EVO offre des vitesses de lecture/écriture séquentielle améliorées jusqu'à 5 000/4 200 Mo/s et des vitesses de lecture/écriture aléatoire jusqu'à 700 000/800 000 IOPS, soit 43% de plus que le 970 EVO Plus 2 To. Gagnez en temps de chargements sur vos jeux et accédez plus rapidement à vos fichiers lourds.
• Efficacité énergétique : Avec une amélioration remarquable de plus de 70 % d’efficacité par rapport au modèle précédent, vous pouvez utiliser votre ordinateur encore plus longtemps sans vous soucier de l'autonomie de la batterie. De plus, il prend en charge Modern Standby, qui vous permet de rester connecté à internet et de recevoir des notifications même en utilisant le mode basse consommation.
• Solution thermique intelligente : L'étiquette de diffusion de la chaleur du 990 EVO facilite le contrôle thermique de la puce NAND. L'algorithme de contrôle thermique de pointe de Samsung, associé à la Dynamique Thermal Guard, garantit des performances constantes et fiables. Gardez vos performances au chaud, pas votre SSD.
• Polyvalence : Pour les gamers, professionnelles ou créateurs, boostez vos performances via la compatibilité PCIe® 4.0 x4 et PCIe® 5.0 x2.
Spécifications :
Utilisation : PC et consoles de jeux
Capacité : 1,000Go (1Go=1 milliard de byte par IDEMA)**
Forme : M.2 (2280)
Interface : PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Dimensions du produit : 80 x 22 x 2.38 mm
Poids : Max 9.0g
Mémoire de stockage : Samsung V-NAND TLC
Contrôleur : Samsung in-house Controller
Mémoire cache : HMB(Host Memory Buffer)
Lecture séquentielle : Jusqu'à 5 000 Mo/s*
Écriture séquentielle : Jusqu'à 4 200 Mo/s*
Lecture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu'à 680 000 IOPS*
Écriture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu'à 800 000 IOPS*
Lecture aléatoire (4KB, QD1) : Jusqu'à 20 000 IOPS*
Écriture aléatoire (4KB, QD1) : Jusqu'à 90 000 IOPS*
Consommation moyenne : Lecture 5,5 W / Ecriture 4,7 W
Consommation en mode veille : Généralement 60 mW
Power Consumption (Device Sleep) : Généralement 5 mW
Fiabilité (MTBF) : 1,5 million d’heures de fiabilité (MTBF)
Température hors fonctionnement : 0 - 70°C Température de fonctionnement
Chocs : 1 500 g et 0,5 ms
• Performance : Le 990 EVO offre des vitesses de lecture/écriture séquentielle améliorées jusqu'à 5 000/4 200 Mo/s et des vitesses de lecture/écriture aléatoire jusqu'à 700 000/800 000 IOPS, soit 43% de plus que le 970 EVO Plus 2 To. Gagnez en temps de chargements sur vos jeux et accédez plus rapidement à vos fichiers lourds.
• Efficacité énergétique : Avec une amélioration remarquable de plus de 70 % d’efficacité par rapport au modèle précédent, vous pouvez utiliser votre ordinateur encore plus longtemps sans vous soucier de l'autonomie de la batterie. De plus, il prend en charge Modern Standby, qui vous permet de rester connecté à internet et de recevoir des notifications même en utilisant le mode basse consommation.
• Solution thermique intelligente : L'étiquette de diffusion de la chaleur du 990 EVO facilite le contrôle thermique de la puce NAND. L'algorithme de contrôle thermique de pointe de Samsung, associé à la Dynamique Thermal Guard, garantit des performances constantes et fiables. Gardez vos performances au chaud, pas votre SSD.
• Polyvalence : Pour les gamers, professionnelles ou créateurs, boostez vos performances via la compatibilité PCIe® 4.0 x4 et PCIe® 5.0 x2.
Spécifications :
Utilisation : PC et consoles de jeux
Capacité : 1,000Go (1Go=1 milliard de byte par IDEMA)**
Forme : M.2 (2280)
Interface : PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Dimensions du produit : 80 x 22 x 2.38 mm
Poids : Max 9.0g
Mémoire de stockage : Samsung V-NAND TLC
Contrôleur : Samsung in-house Controller
Mémoire cache : HMB(Host Memory Buffer)
Lecture séquentielle : Jusqu'à 5 000 Mo/s*
Écriture séquentielle : Jusqu'à 4 200 Mo/s*
Lecture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu'à 680 000 IOPS*
Écriture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu'à 800 000 IOPS*
Lecture aléatoire (4KB, QD1) : Jusqu'à 20 000 IOPS*
Écriture aléatoire (4KB, QD1) : Jusqu'à 90 000 IOPS*
Consommation moyenne : Lecture 5,5 W / Ecriture 4,7 W
Consommation en mode veille : Généralement 60 mW
Power Consumption (Device Sleep) : Généralement 5 mW
Fiabilité (MTBF) : 1,5 million d’heures de fiabilité (MTBF)
Température hors fonctionnement : 0 - 70°C Température de fonctionnement
Chocs : 1 500 g et 0,5 ms
Utilisation : PC et consoles de jeux
Capacité : 1,000Go (1Go=1 milliard de byte par IDEMA)**
Forme : M.2 (2280)
Interface : PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Dimensions du produit : 80 x 22 x 2.38 mm
Poids : Max 9.0g
Mémoire de stockage : Samsung V-NAND TLC
Contrôleur : Samsung in-house Controller
Mémoire cache : HMB(Host Memory Buffer)
Lecture séquentielle : Jusqu'à 5 000 Mo/s*
Écriture séquentielle : Jusqu'à 4 200 Mo/s*
Lecture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu'à 680 000 IOPS*
Écriture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu'à 800 000 IOPS*
Lecture aléatoire (4KB, QD1) : Jusqu'à 20 000 IOPS*
Écriture aléatoire (4KB, QD1) : Jusqu'à 90 000 IOPS*
Consommation moyenne : Lecture 5,5 W / Ecriture 4,7 W
Consommation en mode veille : Généralement 60 mW
Power Consumption (Device Sleep) : Généralement 5 mW
Fiabilité (MTBF) : 1,5 million d’heures de fiabilité (MTBF)
Température hors fonctionnement : 0 - 70°C Température de fonctionnement
Chocs : 1 500 g et 0,5 ms
Capacité : 1,000Go (1Go=1 milliard de byte par IDEMA)**
Forme : M.2 (2280)
Interface : PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Dimensions du produit : 80 x 22 x 2.38 mm
Poids : Max 9.0g
Mémoire de stockage : Samsung V-NAND TLC
Contrôleur : Samsung in-house Controller
Mémoire cache : HMB(Host Memory Buffer)
Lecture séquentielle : Jusqu'à 5 000 Mo/s*
Écriture séquentielle : Jusqu'à 4 200 Mo/s*
Lecture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu'à 680 000 IOPS*
Écriture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu'à 800 000 IOPS*
Lecture aléatoire (4KB, QD1) : Jusqu'à 20 000 IOPS*
Écriture aléatoire (4KB, QD1) : Jusqu'à 90 000 IOPS*
Consommation moyenne : Lecture 5,5 W / Ecriture 4,7 W
Consommation en mode veille : Généralement 60 mW
Power Consumption (Device Sleep) : Généralement 5 mW
Fiabilité (MTBF) : 1,5 million d’heures de fiabilité (MTBF)
Température hors fonctionnement : 0 - 70°C Température de fonctionnement
Chocs : 1 500 g et 0,5 ms
